发布日期：2024-07-14 07:43     点击次数：89

近日，据国外媒体报道，三星电子将增加在中国Xi安芯片厂的投资80亿美元，以促进与非门闪存芯片的生产。这是三星Xi安闪存芯片项目的第二阶段，第一阶段投资108亿美元。项目第二阶段总投资150亿美元，第一阶段约70亿美元，第二阶段80亿美元。2017年，三星宣布将在三年内投资70亿美元在Xi安的与非门闪存芯片厂。在进行这些投资之前，该公司已投资108亿美元在Xi安的一家测试和包装厂。据报道，该项目第二阶段预计将于2021年下半年完成。建成后，每月新增产能13万台，新增产值300亿元。 行业分析师表示，三星的投资正值全球内存市场预计明年反弹之际。随着中国5G网络布局的加速以及对5G设备和网络的需求持续上升， 芯片采购平台全球存储芯片市场明年将会反弹。因此，增加中国芯片制造商的投资是明智的。三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，可用于移动设备、存储卡、u盘和固态硬盘。三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国的SK Hynix、美国的Micron Technology和日本的东芝。几家中国公司也试图进入记忆领域，但它们尚未取得多大成功，也不足以与这些巨头竞争。今年秋季，长江存储科技有限公司(YMTC)宣布将开始批量生产64层3D与非门芯片，这是大多数领先行业企业遵循的基准。亿配芯城 - 电子元器件网上商城，提供上1400万种电子元器件采购、集成电路价格查询及交易，集成芯片查询，保证原厂正品，是国内专业的电子元器件采购平台，ic网,电子市场网,集成芯片,电子集成电路,ic技术资料下载,电子IC芯片批发,ic交易网,电子采购网,电子元器件商城,电子元器件交易,中国电子元器件网,电子元器件采购平台,亿配芯城

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