三星牵头打造韩国半导体新集群预计投资300万亿韩元
2024-05-123月15日消息，消息称三星公司计划在韩国京畿道龙仁市设立占地215万坪（约合710万平方米）的国家级工业综合体，搭建5条尖端半导体制造生产线。 报道中指出三星计划在2042年在京畿道投资300万亿韩元（当前约1.58万亿元人民币），打造世界最大的、以单一综合体为基础的高科技系统半导体集群。 三星将该项目称为“SamsungSemiconductorMegaCluster”，计划连接器兴区（Giheung）、华城市（Hwaseong）和平泽市（Pyeongtaek）的现有半导体生产基地。
标题：三星CL10B102KB8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 1000PF 50V X7R 0603的技术和应用介绍 在电子设备中，电容是一种重要的元件，而贴片陶瓷电容是一种常用的电容类型。三星CL10B102KB8NNNC是一款常用的贴片陶瓷电容，具有许多技术特点和方案应用。 首先，关于技术特点，三星CL10B102KB8NNNC采用陶瓷作为电介质，具有高介电常数，使得它具有高容量特性。此外，它的体积小，适合在电路板等小空间中应用。另外，它的耐高温性能好，工作温度范围较广，能够在恶劣环
三星K4B1G1646I-BHMA BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-11随着科技的飞速发展，电子设备的功能越来越强大，对内存的需求也日益增长。三星K4B1G1646I-BHMA BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存芯片，在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将介绍三星K4B1G1646I-BHMA BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4B1G1646I-BHMA是一款采用BGA封装的DDR储存芯片。BGA是Ball Grid Array的简称，是一种先进的封装技术，具有高密度、高电流传输、高可靠性的特点。这种芯片采用特殊的焊接
三星K4B1G1646I-BCNB BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-11随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。其中，内存芯片作为电子设备的重要组成部分，其性能和稳定性直接影响着设备的运行速度和稳定性。三星K4B1G1646I-BCNB BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片，在各类电子产品中得到了广泛的应用。本文将就三星K4B1G1646I-BCNB BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星K4B1G1646I-BCNB BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。这种技术通过将芯片焊
三星电子在美国的半导体芯片工厂建设预算将超250亿美元
2024-05-113月17日消息，根据行业消息源，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市（Taylor）的半导体芯片工厂受到“通货膨胀”影响，原本的投资预算从170亿美元（当前约1173亿元人民币）上涨至250亿美元（当前约1725亿元人民币），增加了80亿美元。 就在今年1月16日消息，三星电子半导体芯片部门负责人庆桂显（KyungKye-hyun）本周五在个人Instagram上表示，位于美国得克萨斯州泰勒市（Taylor）的新半导体工厂建设进展顺利，将按计划在今年内完工。他在Instagram中表示：“泰勒市的
三星合并日本两家半导体研发机构，并在日本设立DSRJ中心
2024-05-113月18日，据Pulse News报道，三星最近合并了位于横滨和大阪的两个研发机构(半导体和显示器)，在日本创建了一个名为DSRJ的综合研发中心。据报道，新中心位于三星横滨研究所内。 三星表示，合并两个研发中心的主要原因是韩日关系缓和，希望在日本建立新的半导体和显示器研发中心。 据报道，三星在日本成立了一个新的设备体验部设备体验研究中心，名为“三星日本研究中心”三星希望通过重组与设备解决方案相关的研发组织，提升半导体和显示器综合开发能力。
标题：三星CL10A225KO8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 2.2UF 16V X5R 0603的应用介绍 在电子设备中，电容是一种重要的元件，用于储存和释放电荷。三星CL10A225KO8NNNC贴片陶瓷电容是一种常见的电容类型，具有独特的性能和特点。本文将介绍三星CL10A225KO8NNNC贴片陶瓷电容的应用、技术方案以及相关注意事项。 一、技术规格 三星CL10A225KO8NNNC贴片陶瓷电容具有以下技术规格：容量为2.2微法，电压范围为16伏，介质为X5R，封装形式为060
三星K4B1G1646I-BCMA BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-10随着科技的飞速发展，电子设备的功能越来越强大，对内存的需求也日益增长。三星K4B1G1646I-BCMA BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存器件，在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将介绍三星K4B1G1646I-BCMA BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4B1G1646I-BCMA BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术，具有高容量、高速度、低功耗等特点。该芯片采用了BGA封装技术，具有更高的集成度，可以减少电路板的空间占用，提高设备的便携
三星K4B1G1646I-BCK0 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-10随着科技的飞速发展，电子设备的功能越来越强大，对内存的需求也日益增长。三星K4B1G1646I-BCK0 BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存芯片，在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将对该芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4B1G1646I-BCK0 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术，包括DDR3 SDRAM和BGA封装方式。其中，DDR3 SDRAM技术保证了芯片的高效读写速度，而BGA封装方式则使得芯片具有更高的集成度，更小的体积和更好的散热
三星掌门时隔三年再度访华：出席中国发展高层论坛和参观三星陶瓷电容MLCC天津厂
2024-05-10三星电子会长李在镕已于2023年3月23日抵达北京参加中国发展高层论坛。 并于3月24日视察了天津三星电机有限公司。他一行走访的是该公司的多层陶瓷片式电容器（MLCC）生产线，陶瓷电容MLCC是半导体重要的电力供应部件，在电子产品和新能源汽车和自动驾驶技术领域广泛应用。 全球汽车陶瓷电容MLCC市场预计将继续以每年近40%的速度增长，从今年的29亿美元增长到2026年的40亿美元。三星计划将韩国釜山打造成陶瓷电容MLCC的专业领域，并将天津工厂作为电动汽车陶瓷电容MLCC的主要生产基地。