欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:SONIX(松翰)半导体MCU单片机SOC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 电子元器件采购网

电子元器件采购网 相关话题

TOPIC

Micrel MIC5235-2.7BM5是一款高性能的线性稳压器芯片,适用于各种电子设备的电源解决方案。该芯片采用REG技术,具有低噪声、低静态电流、高效率等特点,适用于对电源性能要求较高的应用场景。 该芯片采用MICROCAP LDO技术,具有高输出电压、低输出阻抗、低输出纹波等特点,适用于对电源质量要求较高的应用场景。此外,该芯片还具有低成本、高可靠性的优点,适用于各种电子设备的电源电路设计。 在实际应用中,MIC5235-2.7BM5芯片可以与其他电子元器件组成完整的电源电路,实现对电
标题:Silan士兰微SGT10T60SD1S TO-263-2L封装IGBT+二极管技术与应用介绍 Silan士兰微的SGT10T60SD1S TO-263-2L封装IGBT+二极管,以其独特的性能和解决方案,在当今的电子设备中发挥着越来越重要的作用。本文将深入探讨这种技术的特点和方案应用,以帮助读者更好地理解其优势和潜力。 一、技术特点 SGT10T60SD1S TO-263-2L封装IGBT+二极管采用了先进的TO-263封装技术,具有高效率、高可靠性、低噪音和长寿命等特点。这种封装技术
标题:Silan士兰微SGT10T60SDM1D IGBT+Diode技术应用及TO-252-2L封装方案介绍 Silan士兰微的SGT10T60SDM1D是一款采用TO-252-2L封装的IGBT+Diode一体化芯片,其独特的组合和封装设计使其在电力电子领域具有广泛的应用前景。本文将围绕该芯片的技术特点和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 1. IGBT技术:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种新型的功率半导体器件,具有开关速度快、输入输出电阻低、耐压高、耐浪涌能力强等特点。SGT10T
标题:Nippon黑金刚电解电容CAP ALUM 47UF 20% 25V RADIAL的技术和方案应用介绍 在电子设备的构建中,电容是不可或缺的一部分。Nippon黑金刚电解电容CAP ALUM 47UF 20% 25V RADIAL,以其卓越的性能和稳定性,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍这款电容的技术和方案应用。 首先,Nippon黑金刚电解电容CAP ALUM 47UF 20% 25V RADIAL采用了Chemi-Con ES M G250 ELL470 ME11D技术,具有
标题:AIPULNION(爱浦电子)FN1-24S05B电源模块的应用和技术方案介绍 随着科技的飞速发展,电源模块在各个领域的应用越来越广泛。AIPULNION(爱浦电子)的FN1-24S05B电源模块,以其卓越的性能和可靠性,在众多应用场景中发挥着重要作用。本文将详细介绍FN1-24S05B电源模块的应用以及技术方案。 首先,FN1-24S05B电源模块是一款高效、稳定的开关电源模块,适用于各种工业和商业应用。它具有高效率、低噪声、低热量耗散等优点,能够满足各种复杂环境下的电源需求。 在应用
标题:使用KYOCERA AVX KGM21BCG1H152FT贴片电容的1500PF 50V C0G/NP0 0805的技术和应用介绍 KYOCERA AVX的KGM21BCG1H152FT贴片电容是一种广泛使用的电子元件,它具有许多关键的技术特点和实际应用。 首先,我们来了解一下KGM21BCG1H152FT的基本参数。它是一种容量为1500PF,工作电压为50V的贴片电容。电容的主要作用是存储和释放电荷,因此它可以用来调节电路的电平,补偿电路的电感,以及滤除电路中的杂波。此外,由于其尺寸
标题:KEMET基美T495X226K035ATE275钽电容器的技术应用与参数解读 KEMET基美的T495X226K035ATE275钽电容器,是一款具有高稳定性和高可靠性特点的电子元件。其独特的材料配方和制造工艺,使其在各种复杂的工作环境下都能保持良好的性能。 首先,我们来了解一下T495X226K035ATE275的基本参数。该电容器标称容量为22微法拉(UF),额定电压为35伏特(V),精度达到10%,寿命要求为长期工作。电容器的电容值随温度和电压的变化量被严格控制在一定的范围内,保
标题:Molex 521170411连接器CONN RCPT HSG 4POS 2.50MM的应用和介绍 Molex 521170411连接器CONN RCPT HSG 4POS 2.50MM是一款高质量的4针连接器,适用于各种电子设备,特别是在通信、工业、医疗和消费电子领域中。这款连接器以其卓越的性能、稳定性和可靠性而受到广泛好评。 首先,让我们了解一下这款连接器的特点。它具有高电气性能,能够承受高电压和电流,确保数据传输的稳定性和准确性。此外,它的机械性能强大,能够承受各种环境条件,如振动
标题:Murata村田GRM188R61A106KE69D贴片陶瓷电容介绍 在电子设备的构建中,贴片陶瓷电容扮演着重要的角色。其中,Murata村田GRM188R61A106KE69D贴片陶瓷电容因其卓越的性能和稳定性,成为了许多设计师的首选。本文将详细介绍这款电容的特点和使用方法。 首先,让我们了解一下Murata村田GRM188R61A106KE69D贴片陶瓷电容的基本信息。它是一款容量为10微法拉的贴片电容,额定电压为10伏特,属于X5R介电材料类型。这种电容的尺寸为0603,意味着它的
标题:IXYS艾赛斯IXYH50N120C3功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 一、技术简述 IXYS艾赛斯IXYH50N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其工作电压高达1200V,电流容量为100A,最高结温可达到750W。这款功率半导体器件具有高输入阻抗、低导通压降、开关速度快等特点,适用于各种高电压、大电流的电源系统。 二、应用领域 1. 工业电源:IXYS IXYH50N120C3可广泛应用于工业电源领域,如风力发电、太阳能光伏发电等。其高速的