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Intel 10nm工艺还在苦苦挣扎，台积电和三星已经开始量产7nm，下一步自然就是5nm，台积电近日也首次公开了5nm的部分关键指标，看起来不是很乐观。 明年，台积电的第二代7nm工艺会在部分非关键层面上首次尝试使用EVU极紫外光刻系统，工艺节点从CLN7FF升级为CLN7FF+，号称晶体管密度可因此增加20%，而在同样密度和频率下功耗可降低10%。 台积电5nm(CLN5)将继续使用荷兰ASML Twinscan NXE: 3400 EUV光刻机系统，扩大EUV的使用范围，相比于第一代7n

据快科技报道，今年ASML将EUV光刻机的年出货量从18台预计上升到30台。 来自产业链的最新消息称，台积电将包揽ASML这批EUV光刻机中的18台，加上先前的几台，可以在今年3月份启动7nm EUV的量产，推动7nm在其2019年晶圆销售中的占比从去年的9%提升到25%。 目前基于台积电7nm制程的芯片例如苹果A12，华为麒麟980等都只是7nm DUV制程，而DUV技术显然已黔驴技穷，无法满足更加先进的制程工艺需求。而此次台积电猛抢EUV光刻机想必在加速7nm EUV量产外还为5nm甚至更

台积电宣布，其抢先业界导入极紫外光（EUV）微影技术的7纳米强效版(N7+)制程已辅佐客户产品大量进入市场。导入EUV微影技术的N7+奠基于台积电胜利的7纳米制程之上，也为明年首季试产6纳米和更先进制程奠定良好根底。 台积电N7+的量产速度为史上量产速度最快的制程之一，于2019年第二季开端量产，在7纳米制程技术（N7）量产超越一年时间的状况下，N7+良率与N7已相当接近。N7+同时提供了整体效能的提升，N7+的逻辑密度比N7进步15%至20%，同时降低功耗，使其成为业界下一波产品中更受欢送的

半导体设备大厂ASML历经半导体产业低谷后，近期受台积电5、7纳米制程的EUV设备与存储器相关设备需求上升影响，其中EUV设备年增率更上看66%，市场预估ASML第3季营收将会反弹为正生长，且半导体受AI与5G趋向带动下，相关设备商将可望受惠。 产业方面，市场多以为，半导体产业受AI、5G相关企业需求所带动，估计将于2020年摆脱低谷。其中逻辑IC与代工方面，由于AI与5G相对需求更高速的运算与处置，将带动5、7纳米制程研发与开展。 而5、7纳米制程领头羊台积电受惠于先进制程产品而需求上升，制

台积电近日宣布，曾经开端了7nm+ EUV工艺的大范围量产，这是该公司乃至整个半导体产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。作为EUV设备独一提供商，市场预估荷兰ASML公司籍此EUV设备年增长率将超越66%。这个目的能否能完成?EUV工艺在开展过程中面临哪些应战?产业化进程中需求打破哪些瓶颈? EUV设备让摩尔定律再延伸三代工艺 光刻是集成电路消费过程中最复杂、难度最大也是最为关键的工艺，它对芯片的工艺制程起着决议性作用。193nm浸没式光刻技术自2004年年底由台积电和IBM公司应用以来，