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电路设计 相关话题

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针对场效应管而言,在高校期内教师基础沒有讲,让自身通过自学。来到工作中的情况下,大家发觉场效应管运用還是较为普遍的。实际上场效应管和三极管還是很类似的。在许多运用中,乃至能够立即贴换三极管。 场效应晶体管(FieldEffectTransistor简称(FET))通称场效应管。由大部分载流子参加导电性,也称之为单极型晶体管。它归属于电压操纵型集成电路工艺。具备输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪音小、功率低、动态范围大、便于集成化、沒有二次穿透状况、安全生产工作地区宽等优势,已经变成双极型
1、电阻选型需要满足功率降额至少70%,在功率降额满足要求前提下使用较大封装。 2、原理图中的地网络symbol需要显示网络名。 3、电容选型需要满足陶瓷电容额定电压降额至少70%,钽电容额定电压降额至少50%,在满足降额要求前提下使用0603封装。 4、使用的器件需要符合RoHS标准。 5、板层叠结构优先考虑4层PCB,需要保证高速差分信号100±10Ω阻抗匹配,高速单端信号50±5Ω阻抗匹配。 6、板材推荐选用高TG板材,制作使用沉金工艺,过孔做塞孔并盖棕油,白色丝印。 7、电路板需要做倒
3月28日,上交所上市审核委员会2023年第19次审议会议结果公告显示,泰凌微电子(上海)股份有限公司(简称泰凌微)首发申请获上市委会议通过。 泰凌微是一家专业的集成电路设计企业,主要从事无线射频物联网系统级芯片的研发、设计及销售。本次发行保荐机构为安信证券股份有限公司。公司拟发行股数6000.00万股,拟募集资金13.24亿元。 此次公司发行新股募集资金拟投资于IoT产品技术升级项目、无线音频产品技术升级项目、WiFi以及多模产品研发以及技术升级项目、研发中心建设项目、发展与科技储备项目。
10月27日消息,北京市经济和信息化局近日发布《2023年北京市高精尖产业发展资金实施指南(第二批)》通知公告,明确北京市高精尖产业发展资金(以下简称高精尖资金)重点支持的领域和方向。 其中重点方向是对集成电路设计产品首轮流片奖励。支持集成电路设计企业开展多项目晶圆(MPW)或工程产品首轮流片(全掩膜),对符合条件的企业按照流片费用一定比例予以奖励,单个企业年度奖励金额不超过3000万元。该方向的申报单位需为在京登记注册、具有独立法人资格、从事集成电路设计业务的工业和软件信息服务业企业,在20
士兰微半导体作为国内领先的半导体公司,一直致力于集成电路的设计和研发。在集成电路设计方面,士兰微采用了多种先进的技术,这些技术的应用不仅提升了产品的性能,也推动了整个行业的发展。 首先,该公司积极采用系统级封装技术。系统级封装技术是一种将微电子、微机械和电路系统集成在一起的技术,可以大幅度提高集成电路的性能和能效。通过系统级封装技术,士兰微可以更好地控制芯片间的信号传输,减少信号干扰,提高系统的稳定性和可靠性。 其次,士兰微也积极采用先进的纳米级加工技术。纳米级加工技术是现代半导体制造的核心技
在电路设计中,电源管理是一个至关重要的环节。为了确保系统的稳定性和性能,我们需要一个高效且可靠的电源解决方案。Torex LDO(低压差线性稳压器)作为一种常见的电源管理元件,其在电路设计中的易用性不容忽视。 首先,Torex LDO的易用性体现在其简单的结构上。这类稳压器通常包含一个线性调整器、一个参考电压源、一个晶体振荡器、以及输出电容等基本元件。其结构简单,无需复杂的调试和校准,大大降低了电路设计的难度。 其次,Torex LDO的输出电压精度高,温度稳定性好,使得电路设计者无需进行繁琐
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种重要的电力电子器件,广泛应用于各种电力变换装置中。为了确保IGBT的正常工作,驱动电路和保护电路的设计至关重要。本文将详细介绍这两种电路的设计要点。 一、IGBT驱动电路设计 IGBT驱动电路的主要功能是提供合适的电流和电压,使IGBT能够正常工作,同时保护IGBT免受过压、过流等异常情况的损害。设计时需考虑以下几点: 1. 驱动信号:IGBT需要使用脉冲驱动器,通常采用高速光耦器件进行信号传输,以实现电气隔离。 2. 输入电压:驱动电路应适应一定的输入电
在全球电子行业的快速发展中,JRC以其卓越的模拟电路设计和制造专长,为业界树立了新的标杆。JRC作为一家领先的技术公司,凭借其深厚的技术积累和创新能力,不断推动模拟电路技术的发展,以满足日益复杂和严苛的应用需求。 模拟电路设计是一个高度专业化的领域,需要深厚的理论知识、丰富的实践经验和独特的创新思维。JRC的工程师团队在这方面具有丰富的经验,他们能够根据客户的需求,提供定制化的解决方案,确保电路的性能、稳定性和可靠性。JRC的设计流程严谨而高效,从电路原理图的绘制,到仿真测试,再到生产制造,每
网友:单片机外围电路有哪些注意事项呀? 工程师:单片机外围电路设计需要注意的点有很多,今天我简单说几个吧 一、单片机上拉电阻的选择,复位电路中电阻R1=10k时RST是高电平,而当R1=50时RST为低电平,很明显R1=10k时是错误的,单片机一直处在复位状态时根本无法工作。 原因是由于RST引脚内含三极管,即便在截止状态时也会有少量截止电流,当R取的非常大时,微弱的截止电流通过就产生了高电平。 数码管点亮形成的数字由a,b,c,d,e,f,g,dp(小数点)构成,字模及真值表如图。 二、 按
1 简介 本文主要讲述一下DDR从0到1设计的整个设计的全过程,内容涵盖以下部分: SDRAM电路设计DDR4电路设计 下一篇文章内容: DDR4级联DDR4 Layout注意事项 2 SDRAM电路设计 W9825G6KH-6是一种 动态随机存取存储器 ,存储的容量为 256 Mbit ,支持最大时钟频率为 166MHz ,供电范围 3V~3.6V 。 电路分析: 地址线A0-A12 :行地址线为A0-A12;列地址线为A0-A8,无需上拉电阻;数据线DQ0-DQ15 :数据的输入输出线为D